掺杂对氧化锌电阻特性的影响

掺杂对氧化锌电阻特性的影响

作者:师大云端图书馆 时间:2015-12-11 分类:参考文献 喜欢:2024
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【摘要】氧化锌(ZnO)的禁带宽度很大,激子束缚能力强,具有很高的电导率,因此在半导体电阻材料、太阳能材料以及荧光材料等方面均有广泛地应用。ZnO做为电阻材料其电阻特性主要表现形式为压敏电阻和线性电阻。ZnO做为线性电阻时,其伏安特性(I-V)为线性,材料是一种多晶半导体,非线性系数相当小,电阻温度系数为正,通流能力很强,同时电阻率可调范围较大。其机理是因为晶粒与晶界之间的接触为欧姆特性。它的主要应用领域是现代电力-电子技术中的电流断路器,释能电阻器、点接地电阻器以及无感测量电阻装置等。ZnO压敏电阻是一种以ZnO为主体的多晶半导体陶瓷,经过典型的电子陶瓷工艺制成,同时掺杂了多种金属氧化物。在ZnO压敏电阻击穿区内,压敏电阻两端所加的电压大于其压敏电压,ZnO具有压敏特性的主要原因是隧道击穿电子机理。其主要应用领域是高压稳压电路中,如电视机视放管、高压真空开关以及卫星地面接收站等。本文研究掺杂对ZnO电阻特性的影响,在以下方面做出了创造性成果:(1)ZnO薄膜的制备采用射频磁控溅射法分别在玻璃衬底和塑料衬底(对苯二甲酸乙二醇酯PET)上分别对掺铝的氧化锌进行沉积,形成厚度在200nm左右的透明导电薄膜(AZO)。实验结果表明:薄膜厚度均匀。PET衬底和玻璃衬底上,AZO薄膜的方阻分别为45/sq和19/sq,透光率均达90%以上。这说明,在制备AZO薄膜时,柔性衬底可以代替硬质衬底,其应用能够使电子器件更加微型化、集成化、智能化。研究表明,这种方法制备的ZnO薄膜满足对其电阻特性研究的条件,且对ZnO薄膜的改性研究提供了技术支持。(2)研究发现:ZnO掺杂碱土或金属氧化物氧化镁、氧化钛、氧化铝(MgO,TiO2,Al2O3)后,经SEM、XRD、EDS测试以及电性能参数的测定,可大幅提高线性电阻的能量密度,降低非线性系数。结果表明:掺入MgO对ZnO线性电阻的性能影响很大,使ZnO晶粒内部的电子气压强随温度的升高而下降,直接导致阻温系数显著增加;当MgO掺杂量达到7wt%时,线性电阻的能量密度高达812J/cm3,非线性系数为1.12,阻温系数为正,并且达到3.4×10-4/℃;掺杂TiO2可以大幅度提高基体的致密度和晶粒的均匀性,从而显著地影响其能量密度,当有7wt%的TiO2掺入到ZnO线性电阻时,其能量密度可以达到780J/cm3;掺杂Al2O3则能改变尖晶石的生成方式以及生成量,减小线性电阻颗粒的晶粒尺寸,降低晶界势垒高度,对ZnO线性电阻的非线性系数与电阻率也有很大的影响。当Al2O3掺杂量达到9wt%时,电阻率达到285.24·cm,非线性系数低至1.17。(3)研究发现:ZnO掺杂稀土氧化物(Y2O3、La2O3)可以使基体颗粒的分布更加均匀,能大幅降低ZnO线性电阻的非线性系数,并提高电阻率的稳定性。当Y2O3、La2O3的掺杂量分别为0.25mol%、0.5mol%时,线性电阻的能量密度分别达到809J/cm3、812J/cm3,非线性系数分别达到1.14和1.12,电阻温度系数分别达到2.7×10-4/℃和3.4×10-4/℃。(4)研究发现:ZnO中掺杂Y2O3和Pr6O11可以显著影响其压敏特性,较大幅度提高非线性系数和压敏电压。同时,烧结制度对其性能也有影响。通过SEM、XRD和EDS等性能测试,结果可以看出,Y2O3和Pr6O11的引入,改变了尖晶石的生成方式,细化了压敏电阻的颗粒尺寸,同时稀土元素在ZnO晶界钉扎,抑制晶粒的生长,使晶体微观结构更加均匀。此外,在烧结过程中,稀土氧化物能增加施主浓度,增加ZnO晶体中的的自由电子浓度,从而使填隙的Zn2+浓度下降和传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长。但是,Y2O3是施主掺杂,提供大量的施主电子,降低了ZnO的肖特基势垒,能使非线性系数减小,进而使漏电流增大,因此在该方面对提高ZnO压敏电阻的电学性能不利。研究表明:当Pr6O11掺杂量为3.37wt%,烧成温度为1150°C时,压敏电阻的电学性能最佳,且漏电流很小,仅为0.4μA,非线性系数达到44,压敏电压达到340V/mm。(5)研究发现:掺杂ZnO的制备工艺对其线性电阻的微观结构和电学性能也有较大影响。控制好烧结温度和降温速率,能制备出能量密度高,阻温系数小,非线性系数小,以及均匀性高的ZnO线性电阻。基于前面掺杂TiO2改善ZnO线性电阻的配方,①对添加剂进行不同方法的处理,同时改善烧结制度,当添加剂在1100℃条件下煅烧2小时,线性电阻的能量密度达到821J/cm3,非线性系数达到1.10,且阻温系数为正,达到3.94×10-4/℃。同时,电阻率为792·cm,电阻率的稳定性达到56.4%;②添加剂经过适当的煅烧温度和降温处理可以降低反应活化能,提高粉料的活性,从而提高原料的分散性,使微观颗粒分布更加均匀,进而优化ZnO线性电阻的电性能参数,当烧成温度在1320℃到1360℃之间,降温速率在100℃/h左右时,线性电阻的电性能参数相对最佳。当控制烧结温度为1340℃,降温速率为100℃/h,经测试可知,能量密度达到825J/cm3,非线性系数达到1.10,阻温系数达到4.01×10-4/℃,同时电阻率为790·cm,电阻率的稳定性为57.4%。ZnO无论作为透明导电薄膜,压敏电阻还是线性电阻,均与ZnO的六角纤锌矿结构密切相关。对于线性电阻和压敏电阻,主要与ZnO的晶粒尺寸,晶界势垒等因素相关。控制晶界的成分,或尖晶石的数量及生成方式可以有效地控制ZnO电阻的非线性系数,势垒高度以及能量密度等性质,从而决定ZnO线性电阻和压敏电阻中在不同领域中的应用。
【作者】刘建科;
【导师】王秀峰;
【作者基本信息】陕西科技大学,材料物理与化学,2014,博士
【关键词】AZO薄膜;ZnO线性电阻;ZnO压敏电阻;掺杂;添加剂;

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